中文資料WILLSEMI韋爾WPM1480

來源: 發(fā)布時間:2024-03-19

     SD5302F是一款專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計的極低電容TVS(瞬態(tài)電壓抑制器)陣列。它特別設(shè)計用于保護(hù)連接到數(shù)據(jù)線和傳輸線的敏感電子組件免受ESD(靜電放電)引起的過應(yīng)力影響。ESD5302F結(jié)合了兩對極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),它可用于提供高達(dá)±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5302F采用SOT-23封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

主要特性:

· 截止電壓:5V

· 每條線路均符合IEC61000-4-2(ESD)標(biāo)準(zhǔn)的瞬態(tài)保護(hù):±20kV(接觸和空氣放電)

· 符合IEC61000-4-4(EFT)標(biāo)準(zhǔn)的瞬態(tài)保護(hù):40A(5/50ns)

· 符合IEC61000-4-5(浪涌)標(biāo)準(zhǔn)的瞬態(tài)保護(hù):4A(8/20μs)

· 極低電容:CJ=0.4pF(典型值)

· 極低漏電流:IR<1nA(典型值)

· 低箝位電壓:VCL=20V@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域:

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

      ESD5302F保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口免受靜電放電等損害,確保信號完整性,承受力強(qiáng)。適合緊湊設(shè)備,環(huán)保。是高速數(shù)據(jù)接口的理想保護(hù)組件。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。 WNM6002-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:SOT-323-3。中文資料WILLSEMI韋爾WPM1480

中文資料WILLSEMI韋爾WPM1480,WILLSEMI韋爾

WNMD2171雙N溝道、20V、6.0A功率MOSFET

產(chǎn)品描述:

     WNMD2171是一款雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET場效應(yīng)晶體管。這款MOSFET的特殊設(shè)計使得在電路板上連接其漏極變得不必要,因為MOSFET1和MOSFET2的漏極是內(nèi)部連接的。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計,提供了出色的導(dǎo)通電阻(RSS(ON))和低柵極電荷。這款器件專為鋰離子電池保護(hù)電路而設(shè)計。WNMD2171采用CSP-4L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNMD2171是無鉛和無鹵素的。小型CSP4L封裝。

產(chǎn)品特性:

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計

· 出色的導(dǎo)通電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域:

· 鋰離子電池保護(hù)電路

       WNMD2171是一款采用先進(jìn)技術(shù)的雙N溝道MOSFET,特別適用于鋰離子電池保護(hù)電路。其內(nèi)部連接的漏極設(shè)計簡化了電路布局,而優(yōu)異的導(dǎo)通電阻和極低的閾值電壓則提供了高效的電池管理。這款產(chǎn)品的小型CSP-4L封裝使其成為空間受限應(yīng)用中的理想選擇。此外,其無鉛和無鹵素的特點也符合現(xiàn)代環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WS3221C68WPM3021-8/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:SOP-8。

中文資料WILLSEMI韋爾WPM1480,WILLSEMI韋爾

WD3139:高效38V升壓型白色LED驅(qū)動器

產(chǎn)品描述

     WD3139是一款恒定電流、高效率的LED驅(qū)動器。其內(nèi)部MOSFET可以驅(qū)動高達(dá)10個串聯(lián)的白色LED,電流限制為1.2A,過壓保護(hù)為38V??梢詫⒚}沖寬度調(diào)制(PWM)信號應(yīng)用于EN引腳以實現(xiàn)LED調(diào)光。該設(shè)備以1MHz的固定開關(guān)頻率運行,以減少輸出紋波、提高轉(zhuǎn)換效率,并允許使用小型外部組件。

   封裝與環(huán)保信息:WD3139采用TSOT-23-6L封裝,標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

產(chǎn)品特性:

輸入電壓范圍:2.7~5.5V

開路LED保護(hù):38V(典型值)

參考電壓:200mV(±5%)

開關(guān)頻率:1MHz(典型值)

效率:高達(dá)92%

主開關(guān)電流限制:1.2A(典型值)

PWM調(diào)光頻率:5KHz至200KHzPWM

調(diào)光占空比:0.5%~100%

應(yīng)用領(lǐng)域:

智能手機(jī)

平板電腦

便攜式游戲機(jī)

    WD3139是一款專為串聯(lián)白色LED設(shè)計的高效驅(qū)動器。提供1.2A電流限制和38V過壓保護(hù),確保LED穩(wěn)定安全。支持PWM調(diào)光,1MHz開關(guān)頻率提升轉(zhuǎn)換效率并減少輸出紋波。適用于智能手機(jī)、平板等便攜設(shè)備的LED背光或指示燈。小巧封裝且環(huán)保,是理想選擇。詳情請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

ESD5341N:單線、單向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器

     ESD5341N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計。它被特別用來保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件,以防止由靜電放電(ESD)引起的過度壓力。ESD5341N包含一個低電容的轉(zhuǎn)向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),它可以提供高達(dá)±20kV(接觸放電)的ESD保護(hù),并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5341N采用DFN1006-2L封裝,為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品,無鉛且不含鹵素。

其主要特性包括:

· 截止電壓:5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2(ESD)的每條線瞬態(tài)保護(hù):±20kV(接觸放電)

· 根據(jù)IEC61000-4-4(EFT)的瞬態(tài)保護(hù):40A(5/50ns)

· 根據(jù)IEC61000-4-5(浪涌)的瞬態(tài)保護(hù):4A(8/20μs)

· 低電容:CJ=1.0pF(典型值)

· 極低漏電流:IR<1nA(典型值)

· 低箝位電壓:VCL=18V(典型值)@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域包括:

· USB接口

· HDMI接口

· DVI

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

      ESD5341N為高速數(shù)據(jù)接口提供了出色的靜電放電保護(hù),特別適用于需要高數(shù)據(jù)傳輸速率和嚴(yán)格ESD防護(hù)的應(yīng)用。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系制造商。 WNM2016A-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝:SOT-23-3。

中文資料WILLSEMI韋爾WPM1480,WILLSEMI韋爾

WNM2021:單N溝道、20V、0.6A功率MOSFET

產(chǎn)品描述

    WNM2021是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管。它采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計,提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2021為無鉛產(chǎn)品。小型SOT-323封裝

產(chǎn)品特性:

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計

· 出色的導(dǎo)通電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域:

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 電源轉(zhuǎn)換器電路

· 便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源切換

     WNM2021是一款高性能的N溝道功率MOSFET,具有出色的RDS(ON)和低柵極電荷。其先進(jìn)的溝槽技術(shù)和高密度單元設(shè)計使其在DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開關(guān)和充電電路等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。極低的閾值電壓和小型SOT-323封裝使其成為便攜式設(shè)備負(fù)載/電源切換的理想選擇。此外,WNM2021作為無鉛產(chǎn)品,符合環(huán)保要求。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WL2803E33-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WL2868C

WS742905M-8/TR 運算放大器 封裝:MSOP-8。中文資料WILLSEMI韋爾WPM1480

WL2836E:低噪聲、高PSRR、高速CMOSLDO

產(chǎn)品描述:

      WL2836E系列是一款高精度、低噪聲、高速、高PSRR(電源抑制比)、低壓降CMOS線性穩(wěn)壓器,具有出色的抗紋波能力。這些器件為手機(jī)、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了具有成本效益的新一代性能。WL2836E具有隨輸出電壓變化的折返至高輸出電流,因此電流限制功能既作為短路保護(hù),又作為輸出電流限制器。WL2836E穩(wěn)壓器采用標(biāo)準(zhǔn)的SOT-23-5L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

產(chǎn)品特性

· 輸入電壓范圍:1.4V~5.5V

· 輸出電壓范圍:0.8V~3.3V

· 輸出電流:300mA

· 靜態(tài)電流:50μATyp

· 關(guān)機(jī)電流:<1μA

· 壓降電壓:140mV@IOUT=0.3A

· PSRR:78dB@1kHz,VOUT=1.8V

· 低輸出電壓噪聲:20μVRMSTyp

· 輸出電壓容差:±2%@VOUT>2V

· 推薦電容器:1μF

· 熱過載和短路保護(hù)


應(yīng)用領(lǐng)域

· MP3/MP4播放器

· 手機(jī)、無線電話、數(shù)碼相機(jī)

· 藍(lán)牙、無線手持設(shè)備

· 其他便攜式電子設(shè)備

      WL2836E是高性能CMOS線性穩(wěn)壓器,專為低噪聲、高PSRR和高速性能的便攜式電子設(shè)備設(shè)計。寬輸入電壓范圍和可調(diào)輸出電壓使其應(yīng)用靈活。內(nèi)置折返至高輸出電流和電流限制功能,提供額外保護(hù)。緊湊SOT-23-5L封裝,無鉛無鹵素,滿足環(huán)保要求。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WPM1480