中文資料WILLSEMI韋爾WL28631D

  WPM2015xx是一款P溝道增強型MOS場效應晶體管（MOSFET）。它采用先進的溝槽技術和設計，具有出色的RDS(ON)（導通電阻）和低柵極電荷。這使得WPM2015xx在中等電源電流和電流產(chǎn)出量的應用中表現(xiàn)出色，尤其適用于電池管理、電機控制和高速開關等場景。

  WPM2015xx的主要特點包括：

1：穩(wěn)定的走電電壓和出色的導電電阻，這有助于在電子設備中實現(xiàn)高效、穩(wěn)定的性能。

2：適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路等應用，這些應用需要精確控制電流和電壓。

3：采用無鉛、無鹵的環(huán)保封裝，符合現(xiàn)代電子產(chǎn)品的環(huán)保要求。

4：具有超高密度電池設計，適用于需要高效率和高穩(wěn)定性的電池管理系統(tǒng)。

5：極低的閾值電壓和小型化的SOT-23封裝使得WPM2015xx在空間受限的應用中也能發(fā)揮出色的性能。

  在實際應用中，WPM2015xx可以用于繼電器、電磁鐵和電機等設備的驅動和控制。通過控制柵極電壓，WPM2015xx可以實現(xiàn)對電流的精確調(diào)節(jié)，從而實現(xiàn)對電機等設備的控制。

  安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦WPM2015xx這款MOS，并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或支持，請隨時聯(lián)系我們。 ESD56101D05-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1610-2。中文資料WILLSEMI韋爾WL28631D

ESD5451N：雙向瞬態(tài)電壓保護神

     ESD5451N是一款高效的雙向瞬態(tài)電壓抑制器，專為保護電子設備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓侵害而設計。它能承受高達±30kV的接觸和空氣放電，以及峰值脈沖電流達8A（8/20μs），為低速數(shù)據(jù)線和控制線提供強大的保護

    這款抑制器采用DFN1006-2L封裝，具有無鉛和無鹵素等環(huán)保特性。其反向截止電壓為±5VMax，電容典型值為17.5pF，漏電流極低，典型值小于1nA。此外，其低鉗位電壓特性使其在電流脈沖下仍能保持穩(wěn)定的電壓輸出。

    ESD5451N適用于多種應用場景，包括手機、平板電腦、筆記本電腦等便攜式設備，以及網(wǎng)絡通信設備等。其出色的瞬態(tài)電壓抑制能力和穩(wěn)定性，為電子設備提供了可靠的保障。

    安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷，可以提供樣品供您測試。如有關于ESD5451N的進一步問題或需求，請隨時與我們聯(lián)系。我們期待與您合作，為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務。 中文資料WILLSEMI韋爾WNMD2056WS3202E61-6/TR 過壓過電流保護IC 監(jiān)控和復位芯片 封裝：SOT-23-6L。

    WS4508E是一款針對單節(jié)鋰離子電池的完整恒流/恒壓線性充電器。其內(nèi)部采用MOSFET架構，無需外部感測電阻和阻斷二極管。熱反饋機制可以調(diào)節(jié)充電電流，以在高功率操作或高環(huán)境溫度下限制芯片溫度。充電電壓固定為4.2V，而充電電流可以通過一個外部電阻進行編程。

特性：

· 可編程充電電流高達600mA

· 過溫保護

· 欠壓鎖定保護

· 自動再充電閾值典型值為4.05V

· 充電狀態(tài)輸出引腳

· 2.9V涓流充電閾值

· 軟啟動限制浪涌電流

應用：

· 無線電話

· MP3/MP4播放器

· 藍牙設備

    WS4508E是一款鋰離子電池充電器，適用于便攜式電子產(chǎn)品。其內(nèi)置MOSFET簡化了電路設計，降低了成本。其熱反饋機制確保了在各種環(huán)境下的安全充電。充電電壓固定為4.2V，電流可編程，至高600mA，適應不同電池和充電需求。充電結束和電源移除時，自動進入低電流和關機模式，降低功耗。采用SOT-23-5L封裝，符合無鉛標準，適用于各種電子設備。提供可靠、高效的充電解決方案。如需更多信息，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

WPM3401：單P溝道、-30V、-4.6A功率MOSFET

     WPM3401是一種P溝道邏輯增強型功率場效應晶體管，采用高單元密度、DMOS溝槽技術生產(chǎn)。這種高密度工藝特別定制于極小化導通電阻。這些器件特別適合低電壓應用、筆記本電腦的電源管理以及其他需要高側開關的電池供電電路。

其主要特性包括：

· 溝槽技術

· 超高密度的單元設計

· 優(yōu)異的導通電阻，適用于更高的直流電流

· 小型SOT-23-3L封裝

應用領域包括：

· 筆記本電腦的電源管理

· 便攜式設備

· 電池供電系統(tǒng)

· DC/DC轉換器

· 負載開關

      WPM3401是一種高性能的功率MOSFET，專為需要高效、緊湊和可靠功率管理的應用而設計。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WSB5524D-2/TR 肖特基二極管 封裝：FBP1608-2L。

ESD5471X1線雙向瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述：

     ESD5471X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。它特別設計用于保護連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態(tài)（EFT）和雷電引起的過應力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標準，ESD5471X可用于提供高達±30kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達6A的峰值脈沖電流（8/20μs）。ESD5471X采用FBP-02C封裝。標準產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性：

反向截止電壓：±5V

根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）標準，每條線路的瞬態(tài)保護：±30kV（接觸和空氣放電）

IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

IEC61000-4-5（浪涌）：6A（8/20μs）

電容：CJ=9pF（典型值）

低漏電流

低鉗位電壓：VCL=12V（典型值）@IPP=16A（TLP）

固態(tài)硅技術

應用領域：

手機

平板電腦

筆記本電腦

其他便攜式設備

網(wǎng)絡通信設備

     ESD5471X是專為保護敏感電子組件設計的雙向瞬態(tài)電壓抑制器，能抵御靜電放電、電氣快速瞬態(tài)和雷電等過應力。其優(yōu)越的保護能力和低漏電流特性使其成為手機、平板、筆記本等便攜式設備及網(wǎng)絡通信設備的理想保護元件。采用固態(tài)硅技術，既高性能又緊湊，方便集成。詳情請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WS72552S-8/TR 運算放大器 封裝：SOP-8。代理分銷商WILLSEMI韋爾WNMD2188

WS742905S-8/TR 運算放大器 封裝：SOP-8。中文資料WILLSEMI韋爾WL28631D

ESD5311N：單線、雙向、低電容瞬態(tài)電壓抑制器。

     ESD5311N是一款低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護高速數(shù)據(jù)接口而設計。它特別針對連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過度壓力。其內(nèi)部包含一個低電容的轉向二極管對和一個TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標準，它可以提供高達±20kV（接觸放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達4A（8/20μs）的峰值脈沖電流。采用DFN1006-2L封裝，為標準產(chǎn)品，無鉛且不含鹵素。

      其主要特性包括：截止電壓：5V，根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態(tài)保護：±20kV（接觸放電），根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護：4A（8/20μs），低電容：CJ = 0.25pF（典型值），低漏電流：IR < 1nA（典型值），低箝位電壓：VCL = 21V（典型值）@ IPP = 16A（TLP），固態(tài)硅技。

     應用領域包括：USB 2.0和USB 3.0，HDMI 1.3和HDMI 1.4，SATA和eSATA，DVI，IEEE 1394，PCI Express，便攜式電子設備，筆記本電腦。

     ESD5311N為高速數(shù)據(jù)接口提供了出色的靜電放電保護，適用于高數(shù)據(jù)傳輸和嚴格ESD防護應用。如有進一步問題或需求，請隨時與我們聯(lián)系。我們期待與您合作，為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務。 中文資料WILLSEMI韋爾WL28631D