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WNM2016A：N溝道增強型MOSFET場效應晶體管

產品描述：

WNM2016A它采用先進的溝槽技術和設計，以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。該器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WNM2016A為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。

產品特性：

· 溝槽技術

· 超高密度單元

· 設計出色的ON電阻

· 極低的閾值電壓

應用領域：

· DC/DC轉換器

· 電源轉換器

· 電路便攜式設備的負載/電源開關      

      WNM2016A是一款高性能的N溝道MOSFET，專為現(xiàn)代電子設備中的高效能量轉換和開關應用而設計。其獨特的溝槽技術和高密度單元設計提供了優(yōu)越的電氣性能，包括低RDS(ON)和低柵極電荷，從而實現(xiàn)高效能量轉換和減少熱量損失。此外，極低的閾值電壓和SOT-23小型封裝使其成為便攜式設備中的理想選擇，因為它既能夠提供強大的性能，又能夠節(jié)省空間。無論是DC/DC轉換器、電源轉換器電路，還是便攜式設備的負載/電源開關，WNM2016A都是一個出色的選擇，能夠確保設備的穩(wěn)定運行和高效能量管理。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WS742904M-8/TR 運算放大器 封裝：MSOP-8。中文資料WILLSEMI韋爾WMM7027ATHD1-4/TR

    WL2801E系列是一款高精度、低噪聲、高速、低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器，具有優(yōu)異的紋波抑制能力。該系列為手機、筆記本電腦和其他便攜式設備提供了經(jīng)濟高效的新一代性能。其電流限制器的折回電路不止作為短路保護，還在輸出引腳處作為輸出電流限制器。

產品特點：

· 輸入電壓范圍：2.7V至5.5V

· 輸出電壓范圍：1.2V至3.3V

· 輸出電流：在輸出電壓小于2V時，典型值為200mA；在輸出電壓大于2V時，典型值為300mA。

· 電源抑制比（PSRR）：在217Hz時達到75dB

· 壓差電壓：在輸出電流為200mA時，壓差為170mV

· 靜態(tài)電流：典型值為70μA

· 關斷電流：小于0.1μA

· 推薦電容器：1uF

應用領域：

· MP3/MP4播放器

· 手機和無線電話

· 數(shù)碼相機

· 藍牙和無線手持設備

· 其他便攜式電子設備

    WL2801E系列以其高精度、低噪聲和高效能的特點，為現(xiàn)代便攜式設備提供了理想的電源管理解決方案。無論是手機、筆記本電腦還是MP3播放器，它都能確保設備在長時間使用中保持出色的性能和穩(wěn)定的電力供應。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WL28251DWS72551EA-5/TR 運算放大器 封裝：SOT-23-5L。

    WNM2030是一種N型增強型MOS場效應晶體管，采用先進的溝槽技術和設計，以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適合用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WNM2030為無鉛產品。小型SOT-723封裝。

主要特性：

· 溝槽技術

· 超高密度單元設計

· 優(yōu)異的開啟電阻

· 極低的閾值電壓

應用領域：

· DC/DC轉換器

· 電源轉換器電路

· 便攜式設備的負載/電源切換

   WNM2030是專為現(xiàn)代電子系統(tǒng)電源管理設計的高性能MOS場效應晶體管。其RDS(ON)和低柵極電荷特性使其在DC-DC轉換、電源開關和充電電路中表現(xiàn)出色。采用先進溝槽技術，提供高密度和低功耗?？焖匍_關操作適用于高頻電源管理。小型SOT-723封裝適合便攜式設備，且無鉛設計滿足環(huán)保要求。WNM2030為現(xiàn)代電源管理提供高效、可靠和環(huán)保的解決方案。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

ESD5471X1線雙向瞬態(tài)電壓抑制器

產品描述：

     ESD5471X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。它特別設計用于保護連接到電源線、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態(tài)（EFT）和雷電引起的過應力影響。根據(jù)IEC61000-4-2標準，ESD5471X可用于提供高達±30kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達6A的峰值脈沖電流（8/20μs）。ESD5471X采用FBP-02C封裝。標準產品為無鉛且無鹵素。

產品特性：

反向截止電壓：±5V

根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）標準，每條線路的瞬態(tài)保護：±30kV（接觸和空氣放電）

IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

IEC61000-4-5（浪涌）：6A（8/20μs）

電容：CJ=9pF（典型值）

低漏電流

低鉗位電壓：VCL=12V（典型值）@IPP=16A（TLP）

固態(tài)硅技術

應用領域：

手機

平板電腦

筆記本電腦

其他便攜式設備

網(wǎng)絡通信設備

     ESD5471X是專為保護敏感電子組件設計的雙向瞬態(tài)電壓抑制器，能抵御靜電放電、電氣快速瞬態(tài)和雷電等過應力。其優(yōu)越的保護能力和低漏電流特性使其成為手機、平板、筆記本等便攜式設備及網(wǎng)絡通信設備的理想保護元件。采用固態(tài)硅技術，既高性能又緊湊，方便集成。詳情請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WNM2046B-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：DFN-3L(1x0.6)。

      WL2801E是一款優(yōu)異的低噪聲、高PSRR（電源抑制比）以及高速CMOSLDO（低壓差線性穩(wěn)壓器）。其高精度與出色的性能，使其在手機、筆記本電腦以及其他便攜式設備中表現(xiàn)出色，為用戶提供了前所未有的性價比體驗。這款設備不僅具有出色的限流折回電路，能夠同時作為短路保護和輸出電流限制器，而且采用標準的SOT-23-5L封裝，確保產品的環(huán)保性和安全性。

      WL2801E的主要特性包括寬輸入電壓范圍（2.7V~5.5V）、靈活的輸出電壓范圍（1.2V~3.3V）、以及高達300mA的輸出電流能力。其高達75dB的PSRR在217Hz下表現(xiàn)出色，確保了電源噪聲的有效抑制。此外，其低dropout電壓（170mV@IOUT=200mA）和極低靜態(tài)電流（70μA）使得它在低功耗應用中表現(xiàn)突出。

     這款產品的應用領域較廣，包括MP3/MP4播放器、手機、無線電話、數(shù)碼相機、藍牙和無線手持設備以及其他便攜式電子設備。無論是對于追求高性能的設計師，還是對于尋求成本效益的生產商，WL2801E都是理想的選擇。

     安美斯科技專注于國產電子元器件的代理分銷，并可以提供樣品。這體現(xiàn)了我們對產品質量的自信和對客戶需求的深入理解。選擇安美斯科技，您將獲得優(yōu)異的產品和服務。 WS742905M-8/TR 運算放大器 封裝：MSOP-8。中文資料WILLSEMI韋爾WMM7027ATHD1-4/TR

ESD9D5U-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：SOD-923。中文資料WILLSEMI韋爾WMM7027ATHD1-4/TR

WS4603E：可調電流限制、電源分配開關 

描述

   WS4603E是一款具有高側開關和低導通電阻P-MOSFET的開關。其集成的電流限制功能可以限制大電容負載、過載電流和短路電流的涌入，從而保護電源。此外，WS4603E還集成了反向保護功能，當設備關閉時，可以消除開關上的任何反向電流流動。設備關閉時，輸出自動放電，使輸出電壓迅速關閉。熱關斷功能可以保護設備和負載。WS4603E采用SOT-23-5L封裝。標準產品無鉛且不含鹵素。

特性

1、輸入電壓范圍：2.5~5.5V

2、主開關RON：80mΩ@VIN=5V

3、調整電流限制范圍：0.4~2A（典型值）

4、電流限制精度：±20%

5、自動放電

6、反向阻斷（無“體二極管”）

7、過溫保護

應用

· USB外設

· USB Dongle

· USB 3G數(shù)據(jù)卡

· 3.3V或5V電源開關

· 3.3V或5V電源分配

    安美斯科技專注于國產電子元器件代理分銷，可以提供樣品供您測試。如有關于WS4603E的進一步問題或需求，請隨時與我們聯(lián)系。我們期待與您合作，為您提供優(yōu)異的產品和服務。 中文資料WILLSEMI韋爾WMM7027ATHD1-4/TR

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