貴州ComBond鍵合機

對準晶圓鍵合是晶圓級涂層，晶圓級封裝，工程襯底zhizao，晶圓級3D集成和晶圓減薄方面很有用的技術(shù)。反過來，這些工藝也讓MEMS器件，RF濾波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS圖像傳感器）的生產(chǎn)迅速增長。這些工藝也能用于制造工程襯底，例如SOI（絕緣體上硅）。 主流鍵合工藝為：黏合劑，陽極，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴散/熱壓縮。采用哪種鍵合工藝取決于應用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。 鍵合機廠家EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機制造經(jīng)驗，擁有累計2000多年晶圓鍵合經(jīng)驗的員工。同時，EVG的GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業(yè)標準。 EVG鍵合機使用直接（實時）或間接對準方法，能夠支持大量不同的對準技術(shù)。貴州ComBond鍵合機

SmartView®NT自動鍵合對準系統(tǒng)，用于通用對準。全自動鍵合對準系統(tǒng)，采用微米級面對面晶圓對準的專有方法進行通用對準。用于通用對準的SmartViewNT自動鍵合對準系統(tǒng)提供了微米級面對面晶圓級對準的專有方法。這種對準技術(shù)對于在lingxian技術(shù)的多個晶圓堆疊中達到所需的精度至關(guān)重要。SmartView技術(shù)可以與GEMINI晶圓鍵合系統(tǒng)結(jié)合使用，以在隨后的全自動平臺上進行長久鍵合。特征：適合于自動化和集成EVG鍵合系統(tǒng)（EVG560®，GEMINI®200和300mm配置）。用于3D互連，晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊。 EVG620鍵合機應用EVG鍵合機鍵合卡盤承載來自對準器對準的晶圓堆疊，用來執(zhí)行隨后的鍵合過程。

EVG320技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）200、100-300毫米清潔系統(tǒng)開室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質(zhì)：去離子水（標準），其他清潔介質(zhì)（可選）旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標準）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5秒內(nèi)）超音速噴嘴頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：30-60W去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效清潔區(qū)域：?4.0mm材質(zhì)：聚四氟乙烯兆聲區(qū)域傳感器可選的頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：蕞大2.5W/cm2有效面積（蕞大輸出200W）去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效的清潔區(qū)域：三角形，確保每次旋轉(zhuǎn)時整個晶片的輻射均勻性材質(zhì)：不銹鋼和藍寶石刷的參數(shù)：材質(zhì)：PVA可編程參數(shù)：刷子和晶圓速度（rpm）可調(diào)參數(shù)（刷壓縮，介質(zhì)分配）自動化晶圓處理系統(tǒng)掃描區(qū)域兼容晶圓處理機器人領(lǐng)域EVG320，使24小時自動化盒對盒或FOUP到FOUP操作，達到蕞高吞吐量。與晶圓接觸的表面不會引起任何金屬離子污染?？蛇x功能：ISO3mini-environment（根據(jù)ISO14644）

EVG®850鍵合機EVG®850鍵合機特征生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運行自動盒帶間或FOUP到FOUP操作無污染的背面處理超音速和/或刷子清潔機械平整或缺口對準的預鍵合先進的遠程診斷技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）100-200、150-300毫米全自動盒帶到盒帶操作預鍵合室對準類型：平面到平面或凹口到凹口對準精度：X和Y：±50μm，θ：±°結(jié)合力：ZUI高5N鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標準）和9x10-3mbar（渦輪泵選件）清潔站清潔方式：沖洗（標準），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選）腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質(zhì)：去離子水（標準），NH4OH和H2O2（ZUI大）。2％濃度（可選）旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標準）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn)：ZUI高3000rpm。 晶圓鍵合系統(tǒng)EVG501是適用于學術(shù)界和工業(yè)研究的多功能手動晶圓鍵合機。

EVG®510鍵合機特征 獨特的壓力和溫度均勻性 兼容EVG機械和光學對準器 靈活的設(shè)計和配置，用于研究和試生產(chǎn) 將單芯片形成晶圓 各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合） 可選的渦輪泵（<1E-5mbar） 可升級用于陽極鍵合 開室設(shè)計，易于轉(zhuǎn)換和維護 生產(chǎn)兼容 高通量，具有快速加熱和泵送規(guī)格 通過自動楔形補償實現(xiàn)高產(chǎn)量 開室設(shè)計，可快速轉(zhuǎn)換和維護 200mm鍵合系統(tǒng)的蕞小占地面積：0.8m2 程序與EVG的大批量生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)完全兼容 技術(shù)數(shù)據(jù) 蕞/大接觸力 10、20、60kN 加熱器尺寸150毫米200毫米 蕞小基板尺寸單芯片100毫米 真空 標準：0.1毫巴 可選：1E-5mbar EVG鍵合機晶圓鍵合類型有：陽極鍵合、瞬間液相鍵合、共熔鍵合、黏合劑鍵合、熱壓鍵合。江蘇鍵合機要多少錢

在不需重新配置硬件的情況下，EVG鍵合機可以在真空下執(zhí)行SOI/SDB（硅的直接鍵合）預鍵合。貴州ComBond鍵合機

共晶鍵合［8，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點，以其作為中間鍵合介質(zhì)層，通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導體共晶相來實現(xiàn)。因此，中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多，通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的，但其共晶體的一種成分即為預鍵合材料硅本身，可以降低鍵合工藝難度，且其液相粘結(jié)性好，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱，故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強金層與硅襯底的結(jié)合力，同時鈦也具有阻擋擴散層的作用， 可以阻止金向硅中擴散［10，11］。 貴州ComBond鍵合機