新疆真空馬弗爐哪里的好(2024更新中)(今日/行情)

作者:[195p4r] 發(fā)布時(shí)間:[2024-05-19 01:39:44]

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Kijima 等使用等離子體輔助 CVD 法,將 SiH4作為硅源,C2 H2作為碳源,Ar 氣作為載氣,合成了高純的 SiC 粉體,粉體的粒徑控制在 5 ~ 20 nm,純度 99. 999% 。Kamlag 等采用激光輔助 CVD 法,利用機(jī)械切割 CO2激光束獲得脈沖紅外激勵(lì),以 SiH4和 C2H2為前驅(qū)體,得到平均粒徑約為 12 nm 的 β-SiC。Martin 等將摩爾比為 2∶1 的 SiH4,C2 H2 通入管式反應(yīng)器中,在 1 373 K 的溫度下制備高純的 SiC 粉體,粉體粒徑為10 ~ 100 nm。

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